摘要：三地将共同编制京津冀“一卡通”应用的统一目录清单，推动京津冀区域内交通出行、旅游观光、文化体验及社会保障等领域实现一卡多用、区域通用。而在今年1月底，北京市也启动了第三代社保卡试点换发工作。按照“稳妥推进、自主选择、衔接顺畅”的原则，先在西城区、石景山区说完了。
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三地将共同编制京津冀“一卡通”应用的统一目录清单，推动京津冀区域内交通出行、旅游观光、文化体验及社会保障等领域实现一卡多用、区域通用。而在今年1月底，北京市也启动了第三代社保卡试点换发工作。按照“稳妥推进、自主选择、衔接顺畅”的原则，先在西城区、石景山区说完了。
证券之星消息，根据企查查数据显示华中数控(300161)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种应用于数控装置的键盘设计方法及系统”，专利申请号为CN202111075958.3,授权日为2024年2月23日。专利摘要：本发明属于数控技术领域，具体提供一种应用于数控装置的键盘设计方法及系是什么。
zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi hua zhong shu kong ( 3 0 0 1 6 1 ) xin huo de yi xiang fa ming zhuan li shou quan ， zhuan li ming wei “ yi zhong ying yong yu shu kong zhuang zhi de jian pan she ji fang fa ji xi tong ” ， zhuan li shen qing hao wei C N 2 0 2 1 1 1 0 7 5 9 5 8 . 3 , shou quan ri wei 2 0 2 4 nian 2 yue 2 3 ri 。 zhuan li zhai yao ： ben fa ming shu yu shu kong ji shu ling yu ， ju ti ti gong yi zhong ying yong yu shu kong zhuang zhi de jian pan she ji fang fa ji xi shi shen me 。
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金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，深信服科技股份有限公司取得一项名为“一种虚拟化应用文件访问方法、装置、服务器及存储介质“授权公告号CN111352900B,申请日期为2020年2月。专利摘要显示，本申请公开了一种虚拟化应用文件访问方法，在监控到虚拟化应用是什么。
证券之星消息，根据企查查数据显示当虹科技(688039)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于应用平台可控制访问策略的应用代理方法”，专利申请号为CN202011201280.4,授权日为2024年2月23日。专利摘要：本发明公开了一种基于应用平台可控制访问策略的应用代理方法。它等我继续说。
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证券之星消息，近日中国石化(600028)新注册了2个项目的软件著作权，包括《完井管柱受力分析应用软件1.0.1》、《深层页岩气体积压裂数据分析与建模软件V1.0》等。今年以来中国石化新注册软件著作权56个，较去年同期减少了26.32%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司等我继续说。
IT之家2 月24 日消息，微软今日更新了iOS 版Microsoft 远程桌面应用，版本号为10.5.5。IT之家附本次更新内容如下：该清理系统并修复一些bug 了！此更新解决了许多辅助功能问题，还修复了用户和内部遥测报告的bug。请注意，从此版本开始，我们仅支持iOS 16 和17。应用介绍显示，使用等我继续说。
证券之星消息，根据企查查数据显示科顺股份(300737)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种复合防水保温卷材及其制备方法和应用”，专利申请号为CN202310698043.0,授权日为2024年2月23日。专利摘要：本发明涉及建筑防水领域，公开了一种制备复合防水保温卷材及其制备方法和等我继续说。
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证券之星消息，根据企查查数据显示东鹏控股(003012)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高温耐磨透明釉及其制备方法、应用”，专利申请号为CN202211243929.8,授权日为2024年2月23日。专利摘要：本发明公开了一种高温耐磨透明釉及其制备方法、应用，按照质量百分比计算，所等会说。
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证券之星消息，根据企查查数据显示南玻A(000012)新获得一项发明专利授权，专利名为“强化玻璃、微晶玻璃及其制备方法与应用”，专利申请号为CN202210955790.3,授权日为2024年2月23日。专利摘要：本发明提供一种微晶玻璃，按质量百分比计，组分包括：SiO2 30%～50%、Al2O3 24后面会介绍。
证券之星消息，根据企查查数据显示上海新阳(300236)新获得一项发明专利授权，专利名为“等离子刻蚀清洗后中和清洗剂在清洗半导体器件中的应用”，专利申请号为CN202111523248.2,授权日为2024年2月23日。专利摘要：本发明公开了一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂在清洗半导体等我继续说。
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