摘要：
很小，要达到大的电压放大需要相当大的工作电阻。优点和真空管一样是几乎不需要任何功率的放大控制。原因是因为控制漏电流用的闸源电路始终是在逆向偏压的情况下运行，因此通过栅极的电流始终不超过逆向电流的皮安培。在高频的情况下会出现电容电流。 在夹断电压之下在线性区结型场效应管可以用来作为分压器的自动增益控制。。...
很小，要达到大的电压放大需要相当大的工作电阻。优点和真空管一样是几乎不需要任何功率的放大控制。原因是因为控制漏电流用的闸源电路始终是在逆向偏压的情况下运行，因此通过栅极的电流始终不超过逆向电流的皮安培。在高频的情况下会出现电容电流。 在夹断电压之下在线性区结型场效应管可以用来作为分压器的自动增益控制。。
低介电常数材料（low-K材料）是当前半导体行业研究的热门话题。通过降低集成电路中使用的介电材料的介电係数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。低介电常数材料的研究是同高分子材料密切相关的。传统半导体使用二氧化硅作为介电材料，氧化硅的介电係数约为4。真空的介电係数为1，干燥空气的介电係数接近于1。。
di jie dian chang shu cai liao （ l o w - K cai liao ） shi dang qian ban dao ti xing ye yan jiu de re men hua ti 。 tong guo jiang di ji cheng dian lu zhong shi yong de jie dian cai liao de jie dian 係 shu ， ke yi jiang di ji cheng dian lu de lou dian dian liu ， jiang di dao xian zhi jian de dian rong xiao ying ， jiang di ji cheng dian lu fa re deng deng 。 di jie dian chang shu cai liao de yan jiu shi tong gao fen zi cai liao mi qie xiang guan de 。 chuan tong ban dao ti shi yong er yang hua gui zuo wei jie dian cai liao ， yang hua gui de jie dian 係 shu yue wei 4 。 zhen kong de jie dian 係 shu wei 1 ， gan zao kong qi de jie dian 係 shu jie jin yu 1 。 。
典型的取样保持电路是用电容器来储存电荷，再配合至少一个开关元件（例如场效应管）以及一个运算放大器。若要取样输入信号，开关会连接电容器和缓冲放大器的输出。缓冲放大器会將电容器充电或是放电，使其电压大致等於输入电压（或和输入电压成正比）。在保持阶段会將电容器和缓冲器切离，电容器在本质上会因为漏电流（英语：Leakage。
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Bulldozer C7 C7-M VIA C7-D 脚註 漏电流，leakage current，一般是由电路中的杂散寄生电容所产生，会造成额外的功率消耗，而且是在非正常工作模式下，所产生的电流；通常分为半导体元件漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流等，另外，亚阈值电流也属之。 引用 NVIDIA加入SOI绝缘硅技术行业联盟。
barrier）而产生漏电流，这也是今日积体电路晶片功耗的来源之一。 为了解决这个问题，有一些介电係数比二氧化硅更高的物质被用在闸极氧化层中。例如鉿和鋯的金属氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介电係数的物质均能有效降低闸极漏电流。闸极氧化层的介电係数增加后，闸极的厚度便能增加而维持一样的电容。
动態电流一般是因为电晶体开关所造成，一般是因为时脉信号所引发的。动態电流可能会比集成电路的静態电流（內部漏电流）要大很多。电流的快速变化可能会拉低电压轨上的电压，或是使其产生电压突波。此电流变化要比电压调节模组的反应要快很多。切换电流需要透过去耦电容来改善。。
电容和电源电压串联。若不考虑漏电流的效应，也假设没有负载，其输出电压会是输入电压的两倍（原始的电源电压加上电容器两端的电压）。较高输出电压的脉冲特性可以用输出的滤波电容器来滤波。 以图一为例，电荷泵的电容CP先由电源充电，之后电容CP和输出电容CO串联充电，因此CO最后会充到电。
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因则是目前的CPU设计已经在某种意义上撞上了记忆体墙。英特尔在一份2005年的文件中总结了这些原因。 首先，隨著晶片几何尺寸缩小及时脉频率提高，电晶体漏电流会增加，导致超额的功耗和热量其次，因为记忆体的存取时间无法跟上时脉频率的成长，导致更高的时脉速度所带来的优势被记忆体的延迟抵消。第三，对。
漏电感，或漏感（英语：Leakage inductance）源于不完全耦合的变压器，是变压器中初级线圈与次级线圈的耦合係数小於1，变压器部分线圈不会有变压作用，只有类似抑流电感的作用，这部份线圈的电感即为漏电感。 若初级线圈与次级线圈完全耦合（耦合係数k=1）为理想的变压器时，漏电。
积热电驛（Thermal Relay）- 过电流致动的开关 接地漏电保护插座（GFCI）或RCD 在电场存储电荷的元件。 电容器在电路中用於过滤。 电容器通常会改变所通过的交流电压，而不会改变恒定的直流电压。 电容器（Capacitor） - 固定的电容量 电容电路（Capacitor network） 可变电容器（Variable。
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电容偏差也很大，而且高度不稳定，在受热时其容值会慢慢下降，而且有大的漏电流。低品质的电路会让电解液漏出，伤害电路板（即为电容灾难）。电解质的电导係数在低温时会明显下降，因此会增加等效串联电阻。电解电容常用在许多电源调节的应用中，不过其高频特定不佳，因此在许多应用中不適合使用。电解电容。
电解电容是一种按结构、制作工艺划分的电容种类。通常，电解电容是一种有极性的电容。电解电容的阳极采用可钝化的金属材料，比如铝、钽、铌、钛等；介电材料为阳极金属材料表面生成的致密氧化物薄膜；电解电容的阴极材料为电解质。电解电容的主要特点是，在相同的体积下，可以得到比普通电容大得多的电容量（假设耐压相等）。。
I（有接地的设备）而言，单相电源的二个Y电容会造成流经接地导体电流的增加提高。医疗设备要求接地漏电流不得超过0.5mA，其他保护等级Class I的设备接地漏电流不得超过3.5mA。也因此Y电容的大小会受到限制 若接地漏电保护插座上有多台设备使用电源滤波器，其漏电流可能会累积到30 mA，使得漏电。
注意到每一个电容器都有其伴隨的「漏电阻」（leakage resistance）。通常制作工厂只会標明漏电阻最低值，所以，使用者並不清楚实际漏电阻值，可能与最低值相差很多。由於电压分配主要是由漏电阻决定，因此，很难准確地计算出每一个电容器所承受到的工作电压，整个串联电路的可靠性也会降低。假若，其中有一个电容器发生故障，就会造成。
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memory，SRAM）相比，具有更高的密度和较低的成本。 在DRAM中，每个记忆单元由一个电容和一个开关电路组成，主要的作用原理是利用电容內储存电荷的多寡来代表一个二进制位元（bit）是1还是0。 由於电晶体会有漏电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量並不足以正確的判別数据，进而导致数据毁损。因此对於DRAM来。
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TVS二极管有以下的规格： 漏电流：在电压小於最大反向关断电压时，可以导通的电流。 最大反向关断电压：在此电压以下，导流电流不明显 击穿电压：会出现显导通电流的电压。 箝位电压：导通电流会到其额定电流（数百到数千安培）的电压。 杂散电容：未导通的二极体其特性类似电容器，对於高频信号有破坏性的效果，一般会建议选用杂散电容较低的TVS二极管。。
电容外还有大量的电化学赝电容。赝电容通过法拉第电子电荷转移，配合氧化还原反应、嵌入或电吸附实现。 混合电容，如锂离子电容使用有两种不同特性的电极：其一主要表现为电静力电容，另一个表现为电化学电容。 电化学电容器中，每单位电压能储存的电荷量基本是电极尺寸的函数。不同储存原理的电容，电容值可以有极大的差异。。
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电质电容器的材料及制程在本质上都和鉭介电质电容器相同。不过鈮在自然界中的丰度比鉭要高，价格也比较价宜。鈮介电质电容器和鉭介电质电容器在特性上大致相同。 鈮介电质电容器可以用高纯度的鈮作为阳极，但许多的氧会从介电质（Nb2O5）扩散到阳极，造成漏电流不稳定，甚至造成电容。
电係数（high-k）材料取代以往的二氧化硅绝缘氧化层，以提高等效电容厚度（英语：Equivalent oxide thickness）（equivalent oxide thickness, EOT）。 电荷穿隧过通道，会导致漏电流的产生，我们可以由閾值电压（又称为门槛电压或临界电压，threshold。
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漏电流特性，金氧半电容和金氧半场效电晶体有很大的不同，由於金氧半电容的空乏区电子的累积会受控於热激发，所以漏电流会逐间趋向饱和（以log scale），然而，在金氧半场效电晶体中，因为有汲极和源极可补充少数载子（汲极和源极跟基板的电极性不同），所以漏电流会远大於金氧半电容数个数量级，而且高低频电容。
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