摘要：金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“三极管及其制造方法“授权公告号CN109962103B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分说完了。
...金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“三极管及其制造方法“授权公告号CN109962103B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分说完了。
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证券之星消息，根据企查查数据显示士兰微(600460)新获得一项发明专利授权，专利名为“三极管及其制造方法”，专利申请号为CN201711408816.8,授权日为2023年12月22日。专利摘要：本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分厚度的神经网络。
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zheng quan zhi xing xiao xi ， gen ju qi zha zha shu ju xian shi shi lan wei ( 6 0 0 4 6 0 ) xin huo de yi xiang fa ming zhuan li shou quan ， zhuan li ming wei “ san ji guan ji qi zhi zao fang fa ” ， zhuan li shen qing hao wei C N 2 0 1 7 1 1 4 0 8 8 1 6 . 8 , shou quan ri wei 2 0 2 3 nian 1 2 yue 2 2 ri 。 zhuan li zhai yao ： ben fa ming ti gong le yi zhong san ji guan ji qi zhi zao fang fa ， bao kuo jie zhi ceng ， qi zhong ， kao jin suo shu di er dao dian lei xing wai yan ceng de bu fen hou du de shen jing wang luo 。
三极管产品的优势包括，产品结构简单、价格较低、耐静电能力强等，在消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对分立器件功耗和频率要求愈发严格的背景下，其市场空间正逐步被MOSFET等元器件取代。据统计，2021年全球三极管市场规模为10.25亿美元，预计到2026年全球三极管市等我继续说。
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南方财经6月1日电，扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。
金融界10月11日消息，扬杰科技在互动平台表示，公司的IGBT、MOSFET及二三极管产品均有运用于新能源汽车领域，并已经直接向塞力斯和比亚迪供货，其中塞力斯问界系列均搭载公司产品。本文源自金融界AI电报
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扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。本文源自金融界
商络电子在互动平台表示，公司通过Tier1供应商间接为小米汽车供应阻容感、二三极管、电源芯片等电子元器件。本文源自金融界AI电报
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电子元器件有着不同的封装类型，不同类的元器件外形虽然差不多，但内部结构及用途却大不同，譬如TO220封装的元件可能是三极管、可控硅、场效应管甚至是双二极管。TO-3封装的元器件有三极管，集成电路等。今天我们就来盘点一下常见的二极管、三极管、MOS封装类型，下图含精确后面会介绍。
NPN型三极管、继电器、VCC端口、GND端口、GPIO端口，延时电路单元的两端对应与VCC端口、MOS管的栅极G连接，MOS管的源级S、MOS管的漏极D分别与GND端口、NPN型三极管的发射极E连接，NPN型三极管的基极B与GPIO端口连接，继电器的两端对应与NPN型三极管的集电还有呢？
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NPN型三极管、继电器、VCC端口、GND端口、GPIO端口，延时电路单元的两端对应与VCC端口、MOS管的栅极G连接，MOS管的源级S、MOS管的漏极D分别与GND端口、NPN型三极管的发射极E连接，NPN型三极管的基极B与GPIO端口连接，继电器的两端对应与NPN型三极管的集电好了吧！
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