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摘要： 金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置”，授权公告号CN109960467B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示，提供一种非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置。该还有呢？ ...

金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置”，授权公告号CN109960467B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示，提供一种非易失性存储器装置及其操作方法以及包括其的存储装置。该还有呢？

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金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括在三维图像传感器中的像素阵列“授权公告号CN109994494B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示，提供了一种包括在三维图像传感器中的像素阵列。所述像素阵列包括深度像素和环境光消除等会说。

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jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 2 9 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， san xing dian zi zhu shi hui she qu de yi xiang ming wei “ bao kuo zai san wei tu xiang chuan gan qi zhong de xiang su zhen lie “ shou quan gong gao hao C N 1 0 9 9 9 4 4 9 4 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 8 nian 1 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ti gong le yi zhong bao kuo zai san wei tu xiang chuan gan qi zhong de xiang su zhen lie 。 suo shu xiang su zhen lie bao kuo shen du xiang su he huan jing guang xiao chu deng hui shuo 。

金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“电子设备及改变聊天机器人的方法”，授权公告号CN111226193B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本申请提供了利用诵如深度学习的机器学习算法及应用的人工智能(AI)系统。该人工智能(AI)系等我继续说。

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金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体封装件和半导体模块“授权公告号CN110246829B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，可以提供半导体封装件和半导体模块。所述半导体封装件包括：封装件基底，包括接地层，接地层的第一段等我继续说。

金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“气体注入模块、基底处理设备以及制造半导体器件的方法“授权公告号CN111211030B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及等我继续说。

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金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法”，授权公告号CN110634942B,申请日期为2019年5月。专利摘要显示，提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源等会说。

金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法”的专利，授权公告号CN111326190B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示，一种相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法。一种存储器系统包括：存储器等我继续说。

金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，浙江三星新材股份有限公司取得一项名为“一种冰箱玻璃门的自动压合流水线“授权公告号CN110005674B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明公开了一种冰箱玻璃门的自动压合流水线，包括由上层输送线和下层输送线组成后面会介绍。

金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“估计浓度的装置和方法以及生成浓度估计模型的装置“授权公告号CN110811635B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示，公开了一种用于估计浓度的装置，包括：光谱获取器，被配置为获取对象的拉曼光神经网络。

金融界2024年4月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“基底清洁方法、基底清洁设备以及制造半导体器件的方法”，授权公告号CN110299282B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清等我继续说。